Intel的RAM、ROM情结

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很久以前,在AndyGrove主导Intel的时代,Intel的DRAM业务因日本DRAM(如NEC,之后成为Elpida)的大举进攻而亏损,最后被迫关闭该业务,全心转型、聚焦发展CPU。

  但DRAM与PC息息相关,如果DRAM过慢,CPU快也没用,整体PC效能还是慢,若DRAM涨价,PC厂也让新出厂的PC少配置一点DRAM,DRAM少的结果,为了让PC整体效能批配,也会减少购买较高效能的CPU,Intel的收益也会减少。所以,Intel曾入股Micron,期望有些DRAM产供上的调控影响,以确保高阶CPU的销售。

  虽然关闭自身DRAM业务,但Intel对RAM的规格标准走向仍具高影响性,为了让RAM快,Intel运用其PC晶片组高市占率,使PC从FPMRAM升级成EDORAM,进一步升级成绘图工作站用的SDRAM(成为主流大宗,随后成为DDR/DDR2/DDR3/DDR4等),但之后引领进入RDRAM失败,更之后引进FB-DIMM也失败,Intel失去对RAM的影响力。

  过去Intel能引领RAM走向,在于多数生产出的RAM都用于PC,Intel对PC具有掌控权,但后期的RAM越来越多用于绘图卡、行动装置,衍生出GDDRSDRAM、MobileDRAM,加上JEDEC组织逐渐健全壮大,单一业者已难影响RAM走向,需要JEDEC成员的共识。

  Intel仍在PC、伺服器领域有高市占率,在FB-DIMM失败后,近年来转拥抱Micron提出的HMC(HybridMemoryCube),目前在高效能运算上似有初步成效,若可行将逐步推展至一般伺服器。

  RAM的价格、效能会影响PC整体效能,但硬碟也会,Intel无法影响硬碟供应链,但也看出随时带演变,用NANDFlash取代硬碟的趋势日增,因而投入SSD业务。


  NANDFlash属非挥发性记忆体,断电后资料仍能记忆,过去Intel发明过EPROM,且曾是Intel的摇钱树业务,但随着EEPROM、Flash的出现EPROM已绝迹,而NANDFlash为产业主流趋势确立后,于2008年把自家的NORFlash业务转手给Numonyx,事实上在更早的2006年,Intel就与Micron合作,合资成立IMFlash以进入NANDFlash市场,在当时已属晚进入,NANDFlash的主导业者为Toshiba、Samsung、SanDisk等。

  Intel也曾在2005年提出Rubson技术、2006年提出ONFI介面,试图左右NANDFlash的发展,或至少左右在PC上运用NANDFlash的方式,但都不如预期,Intel自身也发展相变记忆体(Phase-ChangeMemory,PCM),期望PCM取代硬碟、NANDFlash,有助提升整体PC效能,但PCM一直无法商业化。

  到了2015年7月,Intel与Micron共同发表3DXPoint记忆体,宣称是自1989年NANDFlash提出以来,再一次的非挥发性记忆体的技术变革,目标依然在超越现有Toshiba、Samsung主导的NANDFlash。

  对于3DXPoint,目前看法相当分歧,多数人认为它最终会跟PCM一样无法商业化,也有人认为这真的是过往未曾有过的新架构,也有人说它只是旧瓶装新酒,是另一种作法的ReRAM(可变电阻式记忆体)等。

  Intel仍试图进入或左右RAM、ROM,但动机不再是同步拉升PC效能以确保高阶CPU销售,Intel位居半导体产业第一位,过去的第二位曾有Motorola、NEC等,但盘据第二位最久的劲敌为Samsung,Samsung多年前即想进入处理器市场,2002年曾代工生产Alpha晶片,可惜Alpha电脑系统式微,Samsung是从iPhone处理器代工开始站稳脚步(更之前是以大优惠方式供应NANDFlash而打入Apple供应链),所以Intel对RAM、ROM技术与业务的看法,也带有竞争回击意味。

  除了与Samsung竞争外,Intel另一个必须掌握RAM、ROM的理由,在于PC逐渐式微,Intel与过往被Intel击败的CPU厂商一样(VIA/IDT/Cyrix、AMD等),试图让CPU在嵌入式市场有所发展,以维持销售,甚至以新兴的穿戴式、物联网概念为名来转向。

  另外,Intel也想发展晶圆代工,与台积电争抢生意,也在进入嵌入式市场后发现FPGA应用越来越重要,想进入FPGA领域(另一则是FPGA在台积电的产能占比中越来越高),因而为Altera代工生产FPGA,更之后购并Altera(2015年6月),然此已属另一话题。

 

 

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