华人胡正明获美国最高技术奖:发明FinFET

分享到:

据白宫官网报道,美国东部时间22日,2015年美国最高科技奖获奖名单公布,包括9名国家科学奖获得者(National Medal of Science)和8名国家技术和创新奖(National Medal of Technology and Innovation)获得者。
其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖。

QQ截图20151224085726

胡正明教授是鳍式场效晶体管(FinFET)的发明者,如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在台湾长大,后来考入加州大学伯克利分校。

在华为海思麒麟950的发布会上,胡正明教授曾现身VCR(视频点击),据他介绍,FinFET的两个突破,一是把晶体做薄后解决了漏电问题,二是向上发展,晶片内构从水平变成垂直。

胡认为,FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制,这项技术现在仍看不到极限。

2010年后,Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。

 

 

 

继续阅读
对话胡正明:半导体前景无需担忧

业界关于“摩尔定律”时代的终结正处于积极讨论中,因为研究和实验室的成本需求十分高昂,制程工艺在5nm时将接近半导体的物理极限,很难再缩小下去。抱着这样的疑问,记者专程奔赴南京,对FinFET技术发明人、FD-SOI工艺发明人、国际微电子学家胡正明教授进行了独家专访,希望能为大家答疑解惑。

华人胡正明获美国最高技术奖:发明FinFET

据白宫官网报道,美国东部时间22日,2015年美国最高科技奖获奖名单公布,包括9名国家科学奖获得者(National Medal of Science)和8名国家技术和创新奖(National Medal of Technology and Innovation)获得者。

©2019 Microchip Corporation
facebook google plus twitter linkedin youku weibo rss