武汉光电国家研究中心研发提速1000倍的存储芯片

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近日,夜色渐深,武昌喻家湖东路,武汉光电国家研究中心的一间实验室里仍然灯火通明,100多人的研发团队正挑灯夜战,全力研发“下一代存储芯片”。墙上,贴满了团队在国际知名期刊上发表的论文,以及大批专利证书。

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“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,预计明年能在实验室研发成功。到时候,芯片的读写速度会比现在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦产业化成功,将颠覆产业格局。目前,英特尔等产业巨头也在研究这一方向。”研发负责人、教育部“长江学者”特聘教授、华中科技大学光电学院副院长缪向水介绍。
 
“芯片是信息社会的粮食,其中存储器芯片是应用最广泛的,市场最大的芯片,所有的电子产品,包括手机、相机、电脑都离不开它。当前,我国每年进口额高达2600亿美元,其中四分之一是存储器,95%的存储器芯片依靠进口。”缪向水说。
 
53岁的缪向水研究信息存储技术32年,曾在亚洲顶尖的新加坡国立大学任教10年,2007年回国后开始自主研发存储器芯片,同时兼任武汉新芯首席科学家。
 
自主研发的道路并不平坦,缪向水介绍,芯片是一个高度复杂的科技产品,5毫米见方的硅片上,电路只有头发的几百分之一粗细,肉眼无法看到,每个存储器加工过程有66步工艺,一步都不能错,且芯片加工设备昂贵,流片出错的成本极高,一不小心损失可达上千万元。
 
多年来,缪向水带领科研团队不断攻关克难。25岁的博士生冯金龙进入研发团队已经3年,他和团队成员们整天都泡在实验室里,不是在查阅资料,就是穿着白大褂,在超净间的高倍显微镜下做实验。“我做的是芯片材料机理的研究,生活是单调了一点,但发现新东西让我很有成就感。”他说。
 
“芯片是国之重器,信息产业严重依赖芯片,产业命脉应该掌握在自己手上,重大核心技术必须靠自主研发,不能让别人卡着脖子。”缪向水表示,目前,我国的芯片产业离国外还有不少差距,但我们不能自暴自弃,也不能急于求成,要静下心来,坐冷板凳,坚持自力更生,产学研协同,共同攻关,未来我们一定能圆“芯片梦”。
 
4月上旬,长江存储武汉基地芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层 3D NAND闪存芯片将于年内量产。

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